Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ZXM61N02FTA

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 625mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 160 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±12V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.7V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 700mV @ 250µA (Min)
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics 132,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.52 USD
от 6000 шт. 0.515 USD
от 9000 шт. 0.51 USD
от 15000 шт. 0.50 USD
TME 2,399 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.58 EUR
от 10 шт. 0.377 EUR
от 100 шт. 0.238 EUR
от 150 шт. 0.219 EUR
от 500 шт. 0.177 EUR
от 1000 шт. 0.156 EUR
от 3000 шт. 0.13 EUR
от 6000 шт. 0.118 EUR
от 9000 шт. 0.115 EUR
RS HK 1,100 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 25 шт. 3.10 HKD
от 750 шт. 3.028 HKD
от 1500 шт. 2.976 HKD
Похожие компоненты в этой категории