Запрос
Вернуться в каталог и поиск

DMP3085LSD-13

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 1.1W
Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
Тип корпуса от поставщика 8-SO
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3.9A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 563pF @ 25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 11nC @ 10V
Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 70mOhm @ 5.3A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 137,039 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.576 EUR
от 10 шт. 0.259 EUR
от 100 шт. 0.227 EUR
от 500 шт. 0.214 EUR
от 1000 шт. 0.186 EUR
от 2500 шт. 0.133 EUR
Farnell 3,580 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.592 EUR
от 50 шт. 0.266 EUR
от 100 шт. 0.232 EUR
от 500 шт. 0.227 EUR
от 1000 шт. 0.223 EUR
от 2500 шт. 0.140 EUR
от 7500 шт. 0.121 EUR
TME 198 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.637 EUR
от 10 шт. 0.285 EUR
от 50 шт. 0.22 EUR
от 100 шт. 0.196 EUR
от 500 шт. 0.143 EUR
от 1000 шт. 0.122 EUR
от 1300 шт. 0.115 EUR
от 2500 шт. 0.097 EUR
от 5000 шт. 0.093 EUR