DMG1016V-7
Производитель: Diodes Incorporated
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-563, SOT-666
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
530mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Тип корпуса от поставщика
SOT-563
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
870mA, 640mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
60.67pF @ 16V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
0.74nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Mouser
218,229 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.645 EUR |
| от 10 шт. | 0.452 EUR |
| от 100 шт. | 0.286 EUR |
| от 500 шт. | 0.176 EUR |
| от 1000 шт. | 0.13 EUR |
| от 3000 шт. | 0.115 EUR |
TME
324 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.526 EUR |
| от 10 шт. | 0.3 EUR |
| от 50 шт. | 0.241 EUR |
| от 100 шт. | 0.218 EUR |
| от 500 шт. | 0.163 EUR |
| от 1000 шт. | 0.138 EUR |
| от 3000 шт. | 0.102 EUR |
| от 6000 шт. | 0.09 EUR |
Похожие компоненты в этой категории