DMC6040SSD-13
Производитель: Diodes Incorporated
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
1.24W
Напряжение сток-исток (Vdss)
60V
Тип корпуса от поставщика
8-SO
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
5.1A, 3.1A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1130pF @ 15V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
20.8nC @ 10V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
40mOhm @ 8A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics
1,390,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.5101 USD |
| от 5000 шт. | 0.4974 USD |
| от 10000 шт. | 0.491 USD |
Mouser
3,733 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.08 EUR |
| от 10 шт. | 0.507 EUR |
| от 100 шт. | 0.448 EUR |
| от 2500 шт. | 0.448 EUR |
TME
1,306 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.74 EUR |
| от 10 шт. | 0.514 EUR |
| от 50 шт. | 0.4 EUR |
| от 100 шт. | 0.356 EUR |
| от 500 шт. | 0.269 EUR |
| от 1000 шт. | 0.249 EUR |
Похожие компоненты в этой категории