TSM070NH04LCV RGG

Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) 8-PowerWDFN

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V

Тип корпуса от поставщика 8-PDFN (3.1x3.1)

Тип полевого транзистора (FET) N-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 36W (Tc)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 14A (Ta), 54A (Tc)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1376 pF @ 25 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±16V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 24 nC @ 10 V

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.2V @ 250µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 7mOhm @ 27A, 10V

Складские остатки и цены

Mouser 9,873 шт.