STGSH50M120D

Производитель: STMicroelectronics

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-сборки

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Arrays

TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

Технические характеристики

Вход Standard

Тип монтажа Surface Mount

NTC термистор No

Конфигурация Half Bridge

Производитель 2 STMicroelectronics

Тип корпуса (Package/Case) 9-PowerSMD

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Максимальная мощность 536 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 69 A

Входная ёмкость (Cies) при Vce 3152 pF @ 25 V

Тип корпуса от поставщика 9-ACEPACK SMIT

Ток отсечки коллектора (Макс.) 25 µA

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V

Складские остатки и цены

Farnell 10 шт.