RN1902,LF(CT
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Производитель 2
Toshiba Semiconductor and Storage
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1)
10kOhms
Тип корпуса (Package/Case)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Граничная частота (ft)
250MHz
Максимальная мощность
200mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10kOhms
Тип корпуса от поставщика
US6
Ток отсечки коллектора (Макс.)
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Складские остатки и цены
Компонент поставляется под заказ. Обратитесь к менеджеру.