DTC114YKAT146
Производитель: Rohm Semiconductor
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1)
10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Граничная частота (ft)
250 MHz
Максимальная мощность
200 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 kOhms
Тип корпуса от поставщика
SMT3
Ток отсечки коллектора (Макс.)
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Складские остатки и цены
Mouser
40,459 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.215 EUR |
| от 10 шт. | 0.129 EUR |
| от 100 шт. | 0.08 EUR |
| от 500 шт. | 0.058 EUR |
| от 3000 шт. | 0.037 EUR |
| от 6000 шт. | 0.034 EUR |
| от 9000 шт. | 0.032 EUR |
| от 24000 шт. | 0.027 EUR |
TME
4,269 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.2363 EUR |
| от 10 шт. | 0.1588 EUR |
| от 100 шт. | 0.0898 EUR |
| от 500 шт. | 0.0587 EUR |
| от 1000 шт. | 0.0487 EUR |
| от 3000 шт. | 0.0362 EUR |
| от 6000 шт. | 0.0342 EUR |