Запрос
Вернуться в каталог и поиск

DTA144EMT2L

Производитель: Rohm Semiconductor

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 47 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) SOT-723
Граничная частота (ft) 250 MHz
Максимальная мощность 150 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 30 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms
Тип корпуса от поставщика VMT3
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Складские остатки и цены
Mouser 11,641 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.267 EUR
от 10 шт. 0.165 EUR
от 100 шт. 0.103 EUR
от 500 шт. 0.077 EUR
от 1000 шт. 0.06 EUR
от 5000 шт. 0.049 EUR
от 8000 шт. 0.041 EUR
от 24000 шт. 0.038 EUR
TME 2,160 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.2926 EUR
от 10 шт. 0.1825 EUR
от 100 шт. 0.1131 EUR
от 500 шт. 0.0789 EUR
от 1000 шт. 0.0674 EUR
от 2000 шт. 0.0571 EUR
от 8000 шт. 0.0398 EUR
от 16000 шт. 0.0327 EUR
от 24000 шт. 0.0317 EUR