DTA115EET1G

Производитель: onsemi

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора PNP - Pre-Biased

Резистор - База (R1) 100 kOhms

Тип корпуса (Package/Case) SC-75, SOT-416

Максимальная мощность 200 mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 100 kOhms

Тип корпуса от поставщика SC-75, SOT-416

Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V

Складские остатки и цены

Mouser 1,728 шт.