Запрос
Вернуться в каталог и поиск

DTA114EKAT146

Производитель: Rohm Semiconductor

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Граничная частота (ft) 250 MHz
Максимальная мощность 200 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 50 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 10 kOhms
Тип корпуса от поставщика SMT3
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Складские остатки и цены
RS HK 15,835 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 25 шт. 1.74 HKD
от 100 шт. 1.70 HKD
от 250 шт. 1.68 HKD
от 500 шт. 1.64 HKD
Farnell 1,939 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.208 EUR
от 50 шт. 0.127 EUR
от 100 шт. 0.0799 EUR
от 500 шт. 0.0582 EUR
от 1500 шт. 0.0512 EUR
от 3000 шт. 0.0422 EUR
от 9000 шт. 0.0352 EUR
TME 1,645 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.2257 EUR
от 10 шт. 0.1423 EUR
от 75 шт. 0.0947 EUR
от 100 шт. 0.089 EUR
от 500 шт. 0.0602 EUR
от 1000 шт. 0.0496 EUR
от 3000 шт. 0.0345 EUR
от 6000 шт. 0.0333 EUR
RS HK 930 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.78 HKD
от 25 шт. 1.74 HKD
от 100 шт. 1.70 HKD
от 250 шт. 1.68 HKD
от 500 шт. 1.64 HKD