Запрос
Вернуться в каталог и поиск

DTA013ZMT2L

Производитель: Rohm Semiconductor

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 1 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) SOT-723
Граничная частота (ft) 250 MHz
Максимальная мощность 150 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 10 kOhms
Тип корпуса от поставщика VMT3
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 6,654 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.206 EUR
от 10 шт. 0.126 EUR
от 100 шт. 0.079 EUR
от 500 шт. 0.058 EUR
от 1000 шт. 0.046 EUR
от 5000 шт. 0.034 EUR
от 8000 шт. 0.028 EUR
от 24000 шт. 0.027 EUR
TME 965 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.08 EUR
от 10 шт. 0.048 EUR
от 100 шт. 0.0341 EUR
от 500 шт. 0.0282 EUR
от 1000 шт. 0.0263 EUR
от 2000 шт. 0.0246 EUR
от 8000 шт. 0.0222 EUR
от 16000 шт. 0.0213 EUR
от 24000 шт. 0.0208 EUR