DRC2123J0L

Производитель: Panasonic Electronic Components

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Производитель 2 Panasonic Electronic Components

Тип транзистора NPN - Pre-Biased

Резистор - База (R1) 2.2 kOhms

Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Включенные резисторы R1 and R2

Максимальная мощность 200 mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms

Тип корпуса от поставщика MINI3-G3-B

Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V

Складские остатки и цены

Newark 1,000 шт.