DDTC143ZCA-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1)
4.7 kOhms
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Граничная частота (ft)
250 MHz
Максимальная мощность
200 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 kOhms
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3
Ток отсечки коллектора (Макс.)
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Складские остатки и цены
TME
3 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.2192 EUR |
| от 10 шт. | 0.127 EUR |
| от 100 шт. | 0.0826 EUR |
| от 500 шт. | 0.0593 EUR |
| от 1000 шт. | 0.0507 EUR |
| от 3000 шт. | 0.0385 EUR |
| от 9000 шт. | 0.028 EUR |
| от 15000 шт. | 0.0237 EUR |
| от 21000 шт. | 0.0231 EUR |