BUK7Y9R9-80EX

Производитель: Nexperia USA Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) SC-100, SOT-669

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V

Тип корпуса от поставщика LFPAK56, Power-SO8

Тип полевого транзистора (FET) N-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 195W (Tc)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 89A (Tc)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 498 pF @ 25 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 51.6 nC @ 10 V

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 1mA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 98mOhm @ 5A, 10V

Складские остатки и цены

Mouser 8,773 шт.

Farnell 877 шт.