BSP295H6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT223-4
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.8W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.8A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
368 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
17 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.8V @ 400µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
8,957 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.24 EUR |
| от 10 шт. | 0.578 EUR |
| от 100 шт. | 0.513 EUR |
| от 500 шт. | 0.40 EUR |
| от 1000 шт. | 0.342 EUR |
| от 2000 шт. | 0.298 EUR |
| от 5000 шт. | 0.293 EUR |
| от 10000 шт. | 0.284 EUR |
| от 25000 шт. | 0.279 EUR |
TME
1,844 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.174 EUR |
| от 10 шт. | 0.8 EUR |
| от 50 шт. | 0.591 EUR |
| от 100 шт. | 0.517 EUR |
| от 125 шт. | 0.495 EUR |
| от 200 шт. | 0.452 EUR |
| от 500 шт. | 0.377 EUR |
| от 1000 шт. | 0.329 EUR |
| от 2000 шт. | 0.315 EUR |
RS HK
115 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 11.36 HKD |
| от 250 шт. | 11.08 HKD |
| от 500 шт. | 10.92 HKD |