BCR583E6327HTSA1

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Производитель 2 Infineon Technologies

Тип транзистора PNP - Pre-Biased

Резистор - База (R1) 10 kOhms

Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Граничная частота (ft) 150 MHz

Включенные резисторы R1 and R2

Максимальная мощность 330 mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 500 mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 10 kOhms

Тип корпуса от поставщика PG-SOT23

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V

Складские остатки и цены

TME 6,802 шт.