BCR191E6327

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора PNP - Pre-Biased

Резистор - База (R1) 22 kOhms

Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Граничная частота (ft) 200 MHz

Максимальная мощность 200 mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 22 kOhms

Тип корпуса от поставщика PG-SOT23-3-1

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 50 @ 5mA, 5V

Складские остатки и цены

TME 8,475 шт.