BC817RAPNZ

Производитель: Nexperia USA Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays

BC817RAPN/SOT1268/DFN1412-6

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора NPN, PNP

Тип корпуса (Package/Case) 6-XFDFN Exposed Pad

Рабочая температура 150°C (TJ)

Граничная частота (ft) 100MHz

Максимальная мощность 350mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 500mA

Тип корпуса от поставщика DFN1412-6

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 45V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V

Складские остатки и цены

Farnell 2 шт.