ALD1105PBL

Производитель: Advanced Linear Devices Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Through Hole

Конфигурация 2 N and 2 P-Channel Matched Pair

Производитель 2 Advanced Linear Devices Inc.

Тип корпуса (Package/Case) 14-DIP (0.300", 7.62mm)

Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)

Максимальная мощность 500mW

Напряжение сток-исток (Vdss) 10.6V

Тип корпуса от поставщика 14-PDIP

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 3pF @ 5V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1V @ 1µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 500Ohm @ 5V

Складские остатки и цены

Mouser 19 шт.