AFV121KH-960MHZ
Производитель: NXP USA Inc.
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Полевые РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › RF FETs, MOSFETs
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Технические характеристики
Частота
960MHz ~ 1.215GHz
Технология
LDMOS (Dual)
Тип монтажа
Chassis Mount
Конфигурация
2 N-Channel
Производитель 2
NXP USA Inc.
Выходная мощность
1000W
Испытательный ток
100 mA
Номинальный ток (А)
10µA
Тип корпуса (Package/Case)
NI-1230-4S
Коэффициент усиления
19.6dB
Номинальное напряжение
112 V
Испытательное напряжение
50 V
Тип корпуса от поставщика
NI-1230-4S
Складские остатки и цены
Mouser
1 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1 365.92 EUR |