Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2SC5200N(S1,E,S)

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 230V 15A TO-3P

Технические характеристики
Тип монтажа Through Hole
Тип транзистора NPN
Тип корпуса (Package/Case) TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая температура 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 30MHz
Максимальная мощность 150 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 15 A
Тип корпуса от поставщика TO-3P(N)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 5µA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 230 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 1A, 5V
Складские остатки и цены
RS HK 265 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 27.52 HKD
от 10 шт. 26.70 HKD
от 20 шт. 25.90 HKD