2SC2712-OTE85LF
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors
TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
125°C (TJ)
Граничная частота (ft)
80MHz
Максимальная мощность
150 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
150 mA
Тип корпуса от поставщика
TO-236
Ток отсечки коллектора (Макс.)
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
70 @ 2mA, 6V
Складские остатки и цены
Mouser
8,353 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.172 EUR |
| от 10 шт. | 0.103 EUR |
| от 100 шт. | 0.064 EUR |
| от 500 шт. | 0.046 EUR |
| от 1000 шт. | 0.041 EUR |
| от 3000 шт. | 0.033 EUR |
| от 6000 шт. | 0.029 EUR |
| от 9000 шт. | 0.025 EUR |