Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2SA2154CT-GR,L3F

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS PNP 50V 0.1A CST3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP
Тип корпуса (Package/Case) SC-101, SOT-883
Рабочая температура 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 80MHz
Максимальная мощность 100 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Тип корпуса от поставщика CST3
Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Складские остатки и цены
Mouser 145,453 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.232 EUR
от 10 шт. 0.144 EUR
от 100 шт. 0.09 EUR
от 500 шт. 0.066 EUR
от 1000 шт. 0.052 EUR
от 10000 шт. 0.036 EUR