2N7002PV,115

Производитель: Nexperia USA Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Конфигурация 2 N-Channel (Dual)

Тип корпуса (Package/Case) SOT-563, SOT-666

Рабочая температура 150°C (TJ)

Максимальная мощность 330mW

Напряжение сток-исток (Vdss) 60V

Тип корпуса от поставщика SOT-666

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 350mA

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 50pF @ 10V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 0.8nC @ 4.5V

Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.4V @ 250µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V

Складские остатки и цены

Farnell 6,265 шт.

Mouser 812 шт.