BSZ0904NSIATMA1

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Электронные компоненты

MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) 8-PowerTDFN

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V

Тип корпуса от поставщика PG-TSDSON-8-FL

Тип полевого транзистора (FET) N-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 2.1W (Ta), 37W (Tc)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1463 pF @ 15 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 11 nC @ 4.5 V

Особенности FET (полевого транзистора) Schottky Diode (Body)

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 250µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 4mOhm @ 30A, 10V

Складские остатки и цены

Mouser 14,063 шт.

RS HK 4,940 шт.

Кол-во	Цена за шт.
от 20 шт.	8.24 HKD

Farnell 559 шт.